公開日:2026年10月14日分類:技術
元記事:「PCIM 2026」で見たパワー半導体最前線――電子版2026年10月号:EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2026年10月号(外部サイト)(EE Times Japan、2026年10月13日)
EE Times JapanとEDN Japanは、2026年10月13日に統合電子版の2026年10月号を公開した[1]。電子版限定で先行公開する記事は、「PCIM 2026」で見たパワー半導体の最前線を扱うものである[1]。同号には、HBM(高帯域幅メモリ)などで複雑化する先端プロセスと、ウェット装置への要求をLamの幹部に聞くインタビューも入っている[1]。国内半導体関連メーカーの売上高を扱う記事もあり、見出しは、キオクシアが首位で、JASMは143倍としている[1]。
パワー半導体は、電力の変換や制御に使う半導体素子の総称である。大きな電圧や電流を扱い、スイッチのように電流を入り切りして、交流と直流の変換や電圧の調整を行う。代表的な素子は、ダイオード、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)である。
情報処理用の論理半導体は回路の微細化を競う。パワー半導体は、高い電圧に耐えることと、電力の損失を抑えることが重視される。同じ号には先端プロセスのインタビューも収められており、評価の軸が異なる二つの分野を並べて読める[1]。パワー半導体の最新動向を知るには、微細化の度合いではなく、耐圧や損失といった指標に目を向ける必要がある。
パワー半導体は、サプライチェーンでは、電力を制御する素子を作るデバイスの段階に位置する。完成した素子は、電力を変換する機器の中で、電流の入り切りを担う部品として使われる。
素子の材料はシリコンが基本で、炭化ケイ素や窒化ガリウムを使うものもある。そのため、材料の段階とも結びつく。
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