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HBM代替の新型メモリ、米Keplerが2027年までの生産を計画

公開日：分類：技術

元記事：HBMの「電力の壁」破るか 電力効率最大10倍の新メモリ：米新興が27年生産へ（EE Times Japan、）

このページの目次
  1. 何が起きたか
  2. なぜ重要か
  3. 関係する企業・工程とサプライチェーン上の位置
  4. 関係する企業・工程
  5. 出典

何が起きたか

米国の新興企業Kepler Computing（2018年創業）は、AIチップ向けのHBM（広帯域メモリ）やSRAM（高速な小容量メモリ）の代替となる新型メモリを、2027年までに生産開始する計画である[1]。3次元積層技術と強誘電体メモリ技術を使い、電力当たりの帯域幅をHBMの5〜10倍にできるとしている[1]。製造ではGlobalFoundriesと提携し、自社ファブも建設した[1]。

なぜ重要か

HBMは、DRAMチップを縦に積み、TSV（シリコン貫通電極）でつないでプロセッサの近くに置くメモリである。一度に渡せるデータ量を増やすことが目的だ。一方、AIモデルの拡大により、DRAMとHBMの設計・製造コストの上昇や、消費エネルギーと放熱量の増加が起きている[1]。AIデータセンターのエネルギーの大半は、GPUとHBMの間のデータ転送に使われるという[1]。Keplerの案は、この転送にかかる電力を抑える狙いである。

仕組みの特徴は、従来の大きなトランジスタの上に別のデバイスを積む点にある[1]。トランジスタを微細化せずに済み、メモリ密度は2〜3倍、CMOSとの互換性もあるという[1]。

関係する企業・工程とサプライチェーン上の位置

日本企業の名前は出ていない。この話は、チップ内部にメモリを積む設計・製造の段階に関わる。同社は、EUV（極端紫外線）露光に依存せずAIチップを造れる見込みとしており、微細化を担うリソグラフィ（露光）工程との関係が変わる点が論点である[1]。数値の5〜10倍は、メモリが一定の電力で受け渡せるデータ量を表す。

工程：リソグラフィ（塗布・露光・現像）

出典

  1. HBMの「電力の壁」破るか 電力効率最大10倍の新メモリ：米新興が27年生産へEE Times Japan公表日：