イオン注入

公開日：2026年10月17日作成者：hysd（SemiCompass運営者）

ひとことで言うと

不純物の原子をイオンにして加速し、ウェーハの表面近くに打ち込む加工である。

このページの目次

イオン注入は、ドーパントとなる不純物の原子をイオンにして電界で加速し、ウェーハの表面近くに打ち込む加工である。シリコンに電気の通り方が異なる領域を作り、トランジスタのソースやドレインなどを形成するために使う。

打ち込む量はイオンの電流と時間で、深さは加速のエネルギーで調整する。この制御のしやすさが、広く使われる理由である。フォトレジストで覆った部分には打ち込まれないため、回路のパターンに合わせて領域を選べる。

打ち込んだ直後は、シリコンの結晶が乱れ、不純物も働かない。そのため、加熱して結晶を回復させ、不純物を働く状態にする処理（アニール）を続けて行う。

理解度チェック

本文の内容から答えられる問いです。答えを選ぶと、正しいかどうかと解説が出ます。

問1

イオン注入の後にアニール（加熱）を行う理由として、正しいものはどれか。

答えと解説を見る

答え：1. 乱れた結晶を回復させ、不純物を働く状態にするため

打ち込んだ直後は結晶が乱れ、不純物も働かない。加熱によって結晶を回復させ、不純物を働く状態にする。