何が起きたか
FLOSFIAは2026年10月13日、6インチのサファイア基板の上に、α型の酸化ガリウム（α-Ga2O3）の結晶を薄く成長させたエピタキシャル膜を作ることに成功したと公表した[1]。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化の目標である±4％以下を満たした[1]。クラックはなく、異物欠陥も少ないという[1]。8インチ基板での成膜実証は、2026年中に進める計画である[1]。
なぜ重要か
膜厚の面内ばらつきは、1枚のウェーハの中で膜の厚さがどれだけ違うかを示す指標である。口径が大きくなるほど、広い面で厚さをそろえにくくなる。同社は3、4、6インチで比べ、口径が大きいほどばらつきは増すが、その増加ペースは次第に鈍ると確かめた[1]。この実測から求めた近似曲線をもとに、8インチでも±4％以下に収まると見込んでいる[1]。8インチの数値は予測であり、実証はこれからである。また、SiC（炭化ケイ素）のパワー半導体を量産する現場では6インチが主流の大きさである。同社は、提携先が手持ちの6インチ向け生産設備を転用でき、酸化ガリウム品の量産を早く始められるとしている[1]。4インチでは、2025年12月に製造技術の実証完了を発表していた[1]。
関係する企業・工程とサプライチェーン上の位置
この成果は、パワー半導体の材料となる酸化ガリウムの層を基板の上に作る、成膜の段階にあたる。FLOSFIAは独自のミストドライ法で、低温かつ常圧の成膜を行い、安価なサファイア基板を使う[1]。デバイスの製造に入る前の、材料層をつくる段階の話である。
知りたいことは分かりましたか？
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