ALD

公開日：2026年10月9日

読み：エーエルディー　英語：Atomic Layer Deposition　別の表記：原子層堆積、原子層堆積法

原料ガスを交互に供給し、薄膜を原子層単位で積み重ねる成膜手法。

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ALD（Atomic Layer Deposition、原子層堆積）は、薄膜を原子層単位で積み重ねる成膜手法である。

原料ガスを交互に基板へ供給し、基板表面で反応を完結させて膜を形成する。ガスの切り替えのあいだには、余分なガスを排出する。この手順を繰り返すことで、膜厚を繰り返しの回数で制御できる。

複雑な凹凸のある表面にも、均一な厚さで膜を付けやすい。そのため、微細な構造を持つ素子の絶縁膜や金属膜の形成に使われる。CVD（化学気相成長）に比べ、成膜の速度は遅くなる傾向がある。

製造では、成膜工程の一つとして、ウェーハ上に層を重ねる段階で用いられる。