CVD

公開日：2026年10月9日

読み：シーブイディー　英語：chemical vapor deposition　別の表記：化学気相成長

原料ガスの化学反応で、ウェーハ表面に薄い膜をつくる成膜法。

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CVD（Chemical Vapor Deposition、化学気相成長）は、原料となるガスをウェーハ表面付近に供給し、化学反応によって薄い膜を堆積させる成膜法である。

半導体の製造では、絶縁膜、半導体膜、金属膜などを形成するために使う。配線の間を絶縁する膜や、回路の構造をつくる途中で必要になる膜が、主な対象である。

反応を起こすためのエネルギーとして、熱を使う方式のほか、プラズマを使う方式がある。プラズマを使うと、比較的低い温度でも反応を進めやすい。

成膜は、洗浄、リソグラフィ、エッチングなどと組み合わされ、前工程の中で何度も繰り返される。材料を物理的に飛ばして付着させるスパッタリングとは、膜のできかたが異なる。