エピタキシャル成長

公開日：2026年10月17日作成者：hysd（SemiCompass運営者）

ひとことで言うと

結晶の基板の上に、基板の結晶の並びを引き継いで、単結晶の薄膜を成長させる方法である。

このページの目次

エピタキシャル成長は、結晶の基板の上に、基板の結晶の並びを引き継ぎながら、単結晶の薄膜を成長させる方法である。成長した薄膜をエピタキシャル層（エピ層）という。

ウェーハそのものとは別に、不純物の濃度や種類を制御した層を、表面に作れる。ウェーハの内部に不純物を入れる場合に比べて、層の厚さや性質を細かく設計できる。

シリコンの場合は、原料のガスを高温のウェーハの表面で反応させ、結晶を成長させる方法が使われる。表面にエピ層を成長させたウェーハをエピウェーハという。ウェーハの製造の最後の工程として行う場合と、デバイスの製造の中で行う場合がある。

理解度チェック

本文の内容から答えられる問いです。答えを選ぶと、正しいかどうかと解説が出ます。

問1

エピタキシャル成長で作る薄膜の特徴として、正しいものはどれか。

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答え：2. 基板の結晶の並びを引き継いだ単結晶になる

エピタキシャル成長では、基板の結晶の並びを引き継ぎながら、単結晶の薄膜が成長する。