CMP

公開日：2026年10月9日

読み：シーエムピー　英語：Chemical Mechanical Polishing　別の表記：化学機械研磨、化学的機械的研磨

ウェーハ表面を、化学的な作用と機械的な研磨を組み合わせて削り、平らにする加工である。

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CMP（化学機械研磨）は、Chemical Mechanical Polishing の略で、ウェーハの表面を化学的な作用と機械的な研磨を組み合わせて削り、平らにする加工である。

研磨剤の粒子を含む液体（スラリー）を供給しながら、回転する研磨パッドにウェーハを押し当てて削る。

半導体の製造では、成膜やエッチングで生じた表面の凹凸をならすために使う。表面が平らになると、次の層のリソグラフィで焦点を合わせやすくなり、配線や絶縁膜を積み重ねやすくなる。配線の溝に埋め込んだ金属の余分な部分を除くときにも用いられる。研磨後は、残った粒子などを除くために洗浄を行う。