EUV露光

公開日：2026年10月9日

読み：イーユーブイロコウ　英語：extreme ultraviolet lithography　別の表記：EUVリソグラフィ

極端紫外線を光源に用い、フォトマスクの回路パターンをウェーハ上に転写する露光方式。

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EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）露光は、極端紫外線を光源に用いる露光方式である。フォトマスク上の回路パターンを、ウェーハ上のフォトレジストに転写する。リソグラフィ工程の露光で使われる。

波長が短い光ほど、細かいパターンを描きやすい。EUV露光は、回路の微細化を進めるために使われる。

極端紫外線は物質に吸収されやすい。そのため、装置内は真空に保たれる。光学系には、透過するレンズではなく反射鏡を使う。フォトマスクも反射型である。