ウェーハの上に積む薄い膜の材料を説明する。絶縁膜に使う酸化シリコンと窒化シリコン、ゲートの絶縁膜で誘電率の高い材料が求められる理由、配線の金属と、金属の広がりを防ぐ膜、膜に求められる性質と作り方を扱う。
チップの断面の膜と、ゲートの絶縁膜(模式図)
- 膜の重なり絶縁膜、金属、バリア膜
- ゲートの絶縁膜厚くしても同じ効きを得る
図:左は、チップの断面の膜の重なり。シリコンの上に、絶縁膜と金属の配線が重なり、銅の配線はバリア膜で囲まれる。右は、ゲートの絶縁膜。酸化シリコンを薄くしすぎると電気が漏れるので、誘電率の高い膜を厚くして、同じ効きを得る。目盛りのない模式図、本サイトで作成半導体の回路は、膜の重なり
半導体のチップの断面を、顕微鏡で見ると、非常に薄い膜が何層にも重なっている。膜には、電気を通さない絶縁膜と、電気を通す金属の膜がある。膜を積んで、削り、また積むことで、トランジスタと配線ができる。
膜の材料は、役割によって選ばれる。このページでは、絶縁膜、金属の膜、金属の広がりを防ぐ膜を、順に見ていく。製造に使うガスや薬液を扱った前のページと違い、ここでは、チップの中に残る材料を扱う。
絶縁膜の代表:酸化シリコン
もっとも基本的な絶縁膜は、酸化シリコンである。シリコンを酸素と反応させて作る、ガラスのような膜である。電気を通しにくく、シリコンとの境目の状態がよい。トランジスタのゲートの絶縁や、素子どうしの分離、配線の間の絶縁に、長く使われてきた。
酸化シリコンは、シリコンを高温で酸化して作る方法のほか、ガスから積む方法でも作れる。作り方によって、膜の質が変わる。高温で酸化して作った膜は、質がよい。
窒化シリコン
窒化シリコンは、シリコンと窒素の化合物である。酸化シリコンより硬く、水分や不純物を通しにくい。そのため、チップの表面を守る膜や、エッチングで削られにくい膜として使われる。
製造の途中で、ほかの膜を削るときに、窒化シリコンの膜を、削られないための覆いとして使うことがある。膜の種類によって、薬液やガスに対する削れやすさが違うことを、利用している。
ゲートの絶縁膜と、誘電率
トランジスタの微細化が進むと、ゲートの絶縁膜を、非常に薄くする必要がある。ゲートの電圧で、半導体の中の電気の通り道を制御するには、絶縁膜が薄いほど、効きがよくなる。
ところが、酸化シリコンの膜を薄くしすぎると、電気がしみ出して、ゲートから漏れてしまう。そこで、同じ効きを、より厚い膜で得るために、誘電率の高い絶縁膜が使われるようになった。誘電率は、電気をためやすさを表す値で、高いほど、同じ厚さで、ゲートの効きが強まる。この種類の膜を、高誘電率膜と呼ぶ。
配線の間の絶縁膜では、逆に、誘電率の低い膜を使う。電気をためにくくして、信号の遅れを抑えるためである。同じ絶縁膜でも、役割によって、誘電率の高低が使い分けられる。
配線の金属
配線には、電気をよく通す金属が使われる。長く使われてきたアルミニウムに加えて、微細な配線では、電気抵抗の低い銅が使われる。銅は、エッチングで削りにくいため、先に溝を掘って埋め込む、ダマシンという方法で作る。
層の間をつなぐ穴や、トランジスタとの接続には、タングステンなど、穴に隙間なく詰めやすい金属が使われる。金属ごとに、電気の通りやすさ、作りやすさ、丈夫さが違い、場所ごとに使い分ける。
金属を閉じ込める膜
銅は、シリコンの中や、絶縁膜の中に広がりやすい。広がった銅は、トランジスタの性質を壊してしまう。そこで、銅の配線のまわりを、広がりを防ぐ膜で囲む。この膜を、バリアメタルや、バリア膜と呼ぶ。
バリア膜には、銅を通さず、電気を通し、薄くても均一に覆える性質が求められる。微細な溝の内側を、すき間なく覆う必要があり、膜を作る方法も、それに合わせて選ばれる。
膜を作る方法も、性質を決める
膜の性質は、材料だけでなく、作り方でも変わる。ガスの反応で積む方法、金属の粒を打ち付けて積む方法、一層ずつ原子を重ねる方法がある。微細な形を均一に覆うには、一層ずつ重ねる方法が向く。
膜の厚さが均一か、中に隙間や不純物がないか、下の層とよく密着しているかが、チップの性能と信頼性を決める。そのため、膜の材料と作り方は、セットで決められる。
このページのまとめ
半導体の回路は、絶縁膜と金属膜の重なりでできている。酸化シリコンと窒化シリコンが基本の絶縁膜で、ゲートの絶縁には誘電率の高い膜、配線の間には誘電率の低い膜が使われる。配線の金属には銅やアルミニウムが使われ、銅の広がりを防ぐバリア膜で囲む。膜の性質は、材料と作り方の両方で決まる。
- 工程:成膜(CVD、PVD、ALD)
- 工程:酸化・拡散
- 工程:配線
- 用語:ALD:原料ガスを交互に供給し、薄膜を原子層単位で積み重ねる成膜手法。
- 用語:CVD:原料ガスの化学反応で、ウェーハ表面に薄い膜をつくる成膜法。
- 用語:ダマシン:絶縁膜に配線の溝を先に掘り、金属を埋め込んで余分をCMPで除き、配線を作る方法である。
- 用語:Low-k膜:比誘電率が低い絶縁膜で、配線どうしの間に使い、信号の遅れを小さくする。
- 用語:スパッタリング:真空中でプラズマのイオンをターゲットに衝突させ、はじき出した原子を基板に付着させて薄い膜をつくる成膜法。
理解度チェック
本文の内容から答えられる問いです。答えを選ぶと、正しいかどうかと解説が出ます。
問1
ゲートの絶縁膜に、誘電率の高い材料が使われるようになった理由として、正しいものはどれか。
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答え:1. 酸化シリコンを薄くしすぎると電気が漏れるので、より厚い膜で同じ効きを得るため
微細化でゲートの絶縁膜を薄くすると、酸化シリコンでは電気が漏れる。誘電率の高い膜なら、より厚くても同じ効きが得られる。
問2
銅の配線のまわりをバリア膜で囲む理由として、正しいものはどれか。
答えと解説を見る
答え:1. 銅がシリコンや絶縁膜に広がり、トランジスタの性質を壊すのを防ぐため
銅は、シリコンや絶縁膜の中に広がりやすい。広がった銅は、トランジスタの性質を壊すので、バリア膜で閉じ込める。