ダイシング

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このページの目次
  1. この工程の要点
  2. 解説
  3. この工程の企業
  4. 関係する用語
  5. 前後の工程

この工程の要点

ウェーハを切って、チップ(ダイ)に分ける工程。

段階:後工程

解説

ダイシングは、回路の形成を終えたシリコンウェーハを、チップ単位に切り分ける工程である。ウェーハ上には同じ回路が縦横に並べて作られており、そのままでは製品として使えない。切り分けて初めて、個々のチップとして扱える。

前工程でウェーハ上の回路づくりが終わり、プローバなどによるウェーハ状態での電気的な検査を経て、この工程に進む。切り分けたチップは、後工程でパッケージの基板などに載せられ、組み立てられる。厚みを調整するバックグラインドは、この工程の前後で行われる。

ウェーハは、まず専用のテープに貼り付けて固定する。チップの間には、切断のために空けた細い帯状の領域があり、この領域に沿って縦方向と横方向に切っていく。切断中は、削りくずを流し、熱を抑えるために水を当てる。切断後にテープを引き伸ばすと、チップ同士の間隔が広がり、ひとつずつ取り出しやすくなる。

切り方には、回転する薄い刃で削る方式と、レーザで切る方式がある。刃で削る方式は、最も広く知られた基本の方式である。

使う装置は、ウェーハを保持して切断位置を合わせるダイシング装置である。材料や部品としては、円盤状のダイシングブレード、ウェーハを固定するテープ、テープを張る枠、冷却と洗浄に使う純水がある。ブレードは、硬い粒子を結合材で固めた刃である。

切断時にチップの縁が欠けたり割れたりすると、不良の原因になる。そのため、刃の状態や切断条件の管理が歩留まりに関わる。

この工程の企業

2社を表示しています

ダイシングの企業の一覧
企業名企業区分売上高(億円)半導体関連の比率(%)営業利益率(%)平均年間給与(万円)
ディスコ国内上場企業4,368.9100.042.31,880
TOWA国内上場企業543.791.712.7739

定義と範囲

営業利益率は、全社の連結の数値です。半導体事業だけの数値ではありません。

平均年間給与は、提出会社の従業員の数値です。持株会社では、事業会社の水準を表しません。

会計基準の違いで、営業利益の定義が異なる場合があります。

証券コード・工程・掲載の状態も含めて、一覧のページで見る

関係する用語

  • バックグラインド:回路形成を終えたシリコンウェーハの裏面を削り、厚みを薄くする加工。裏面研削とも呼ばれる。
  • チップレット:機能ごとに分けて作った小さなチップを、一つのパッケージ内で組み合わせて一つの製品として動かす方式。
  • ダイシングブレード:ウェーハを個々のチップに切り分けるダイシング工程で使う、高速で回転する薄い円盤状の刃。
  • HBM:DRAMチップを縦に積み重ね、プロセッサの近くに搭載する高帯域幅のメモリ。
  • OSAT:半導体の組み立て(パッケージング)と最終検査を、他社から請け負う企業。
  • プローバ:ウェーハ上のチップの電極に探針を接触させ、電気的特性を測る検査のために、ウェーハを位置合わせして移動させる装置。
  • シリコンウェーハ:高純度のシリコン単結晶を薄い円板状に切り出し、表面を鏡のように磨いた基板。半導体チップの回路を作り込む土台となる。
  • ワイヤボンディング:半導体チップの電極パッドと、基板やリードフレームの端子を、細い金属線でつなぐ接続方法。

前後の工程