ダイシング
この工程の要点
ウェーハを
解説
ダイシングは、
前工程で
ウェーハは、
切り方には、
使う
切断時に
この工程の企業
関係する用語
- バックグラインド:回路形成を終えたシリコンウェーハの裏面を削り、厚みを薄くする加工。裏面研削とも呼ばれる。
- チップレット:機能ごとに分けて作った小さなチップを、一つのパッケージ内で組み合わせて一つの製品として動かす方式。
- ダイシングブレード:ウェーハを個々のチップに切り分けるダイシング工程で使う、高速で回転する薄い円盤状の刃。
- HBM:DRAMチップを縦に積み重ね、プロセッサの近くに搭載する高帯域幅のメモリ。
- OSAT:半導体の組み立て(パッケージング)と最終検査を、他社から請け負う企業。
- プローバ:ウェーハ上のチップの電極に探針を接触させ、電気的特性を測る検査のために、ウェーハを位置合わせして移動させる装置。
- シリコンウェーハ:高純度のシリコン単結晶を薄い円板状に切り出し、表面を鏡のように磨いた基板。半導体チップの回路を作り込む土台となる。
- ワイヤボンディング:半導体チップの電極パッドと、基板やリードフレームの端子を、細い金属線でつなぐ接続方法。
前後の工程
- 前の工程:検査・計測
- 次の工程:ボンディング(ダイボンド、ワイヤボンド)
- 次の工程:先端パッケージ